碳化硅100问 | SiC MOSFET的阈值电压竟然受反向电压的影响
都说SiC MOSFET的驱动电路难处理，除了栅极耐压能力差之外，高温还会使得阈值电压VGS(th)下降，增加桥臂短路的风险。你以为这就结束了么？没想到吧，VGS(th)受到反向电压的影响，惊不惊喜？意不意外？
2022-08-24
碳化硅100问 | SiC MOSFET的阈值电压随温度是如何变化的
擒贼先擒王，打蛇打七寸，抓住事情的本质能让人醍醐灌顶。SiC MOSFET的开关特性、桥臂直通风险都受到其阈值电压VGS(th)的影响。而SiC MOSFET在工作过程中的温度是变化的，掌握其特度特征至关重要。
2022-08-19
碳化硅100问 | 如何理解SiC MOSFET的转移特性曲线
条条大路通罗马，水流千里归大海，纵横不出方圆，万变不离其宗。对SiC MOSFET而言，转移特性曲线是对其通流能力进行表征的祖师爷，现在让我们一起来跟随yh533388银河半导体认识认识它吧。
2022-08-09
碳化硅100问 | SiC二极管的反向恢复特性到底有多强
跟关公耍大刀，跟博尔特赛跑，跟郭德纲讲段子，跟碳化硅二极管比反向恢复，你就知道什么叫做降维打击。碳化硅二极管的反向恢复特性究竟有多强，今天就测给你看。
2022-08-02
碳化硅100问 | SiC MOSFET的耐压能力随温度是如何变化的
好的感情能跨越空间和时间，就像牛郎和织女；优秀的工程师上进又刻苦，就像此刻的你；受欢迎的拓扑高频又高效，就像LLC；理想的器件能工作在更宽的温度范围内，SiC MOSFET是否能顶得住？让我们一起看看SiC MOSFET耐压能力随..
2022-07-27
碳化硅100问 | SiC二极管真的是“零反向恢复“么
碳化硅二极管如果真如规格书上写的“零反向恢复”，那岂不是可以让其开关频率无穷高了？这听起来就非常诱人，但又让人不太放心。是骡子是马，拉出来溜溜，一起来看看实测结果吧。
2022-07-20
碳化硅100问 | SiC二极管的结电容会随温度而变化么
导通电压、漏电流都会随温度而变化，碳化硅二极管也太善变了吧！碳化硅二极管的结电容也是受到重点关注的参数，因为它会直接影响其反向恢复特性，那么它是随温而变还是始终如一呢？
2022-07-13
碳化硅100问 | SiC二极管的耐压能力随温度是如何变化的
夏日炎炎，持续高温，感觉整个人都要融化了。而碳化硅二极管的生存条件比我们更加恶劣，它已经发烧到90℃-150℃了。不少工程师担心其耐压能力会随着温度的升高而降低，从而导致过压击穿损坏。透过碳化硅二极管漏电流随..
2022-07-05
碳化硅100问 | 如何进一步降低SiC二极管的导通电压
PFC电路已经用上碳化硅二极管了，终端客户怎么对效率还是不满意！又要加班加点调电路了么？不必惊慌，快试试采用减薄工艺的低导通损耗碳化硅二极管吧。
2022-07-04
碳化硅100问 | SiC二极管的导通电压随温度是如何变化的
世界是多变的，造型是百变的，天气是时变的，碳化硅二极管的导通压降是温变的。充分掌握其随温度变化的规律才能拿捏住变换器的效率，现在就让我们实测看看结果如何。
2022-07-04
碳化硅100问 | 如何根据应用为碳化硅二极管选择合适的封装
在使用SiC二极管时，面对五花八门的封装类型，你是否会无从下手？现在让我们一起看看各种封装的特点和应用场景，帮你3秒搞定封装选择，摆脱选择困难的折磨。
2022-04-22
碳化硅100问 | 碳化硅二极管都有哪些应用领域
在半导体国产化的浪潮中，国产碳化硅二极管已经成功被客户接纳，其高压、反向恢复几乎忽略不计的特性大放异彩，现在就随yh533388银河半导体的视频一起来了解碳化硅二极管都有哪些应用领域吧。
2021-12-03
碳化硅100问 | 为什么碳化硅这么贵？
碳化硅器件拥有优异的特性，但往往因为其高价格让工程师望而却步，一定程度上限制了其更加广泛的应用。到底是物有所值还是资源稀缺，现在就让我们一起看看碳化硅为什么这么贵，以及对未来趋势的展望吧。
2021-06-07
yh533388银河-为什么SiC如此优秀？
碳化硅器件将在新能源汽车、光伏、电源等领域得到广泛的应用，这得益于于碳化硅器件优异的特性，现在我们讲从材料特性讲起，刨根问底，一起看看碳化硅为什么如此优秀。
2019-01-21
芯片产业人才缺口大， 海归创“芯”成2019重点方向
2019 海归创业“中国芯”方向 芯片，被称作“现代工业的粮食”，是信息技术产品最重要的基础性部件。从手机、计算机、汽车，到高铁、电网、工业控制，再到物联网、大数据、云计算…&he..
2019-01-17
Cree的SiC晶圆供应
SiC器件的使用目前看来只是一个小开始，从上游产业链来说，开始扩大规模和锁定货源，这是一个很有意思的事情。 2019年1月，Cree与ST签署一项为期多年的2.5亿美元规模的生产供应协议，Wolfspeed将会向ST供应150㎜Si..
2018-12-28
宽禁带|Technavio预测：到2023年宽带隙功率半导体器件市场的复合年增长率达到39％，源于信号处理应用的不断增加
美国Technavio公司在其报告《全球宽禁带（WBG）功率半导体器件市场2019-2023》中预测2019至2023年WBG功率半导体器件市场复合年增长率（CAGR）将达到39%，并在2023年达到21.9亿美元。 &nbs..
2018-12-17
SiC器件大战一触即发
日前，德国大厂英飞凌宣布，已收购一家名为Siltectra的初创企业，将一项创新技术(ColdSpilt)也收入了囊中。“冷切割”是一种高效的晶体材料加工工艺，能够将材料损失降到最低。英飞凌将把这项技术用于碳化硅（SiC）晶..
2018-11-29
SEMI：功率暨化合物半导体将迎来高速成长
根据SEMI（国际半导体产业协会）最新报告，预测2017∼2022年之间全球将兴建16座功率及化合物半导体晶圆厂，每月投片量将冲上120万片8吋约当晶圆规模。法人表示，金氧半场效电晶体（MOSFET）及绝缘闸双极电晶体..
